过去几年中，道路上的电动汽车数量迅速增加，业内分析师预计，到2040年将售出5600万辆新电动汽车。根据彭博NEF的《电动汽车展望》，这一增长所伴随的电力消耗将上升至1800TWh，占全球电力的5％。体积更小，重量更轻的电子元件将为电动汽车行业和ECO带来变化的关键。
电动汽车中主逆变器的高效是电动汽车效率的最重要的条件，在电动传动系统中，牵引逆变器将电动汽车电池的直流电流转换为交流电流，以供电动机用来驱动车辆的推进系统。提高牵引逆变器的效率将使：
在相同电池成本的情况下，续航里程更长，充电周期更少，电池使用寿命更长。或者能够正常的使用更小，成本更低的电池以达到相同的续航能力，这两者都将有利于提高电动汽车的竞争优势。
对于电动汽车，牵引逆变器中使用的半导体会对效率，功率密度和冷却要求产生重大影响。当今电动汽车中使用的三相交流电动机的运行电压高达1000V，开关频率高达20 kHz。这非常接近目前在牵引逆变器中使用的硅基MOSFET和IGBT的运行极限。假如没有重大的技术突破，基于硅的MOSFET和IGBT将很难满足下一代电动汽车的运行要求。
这些限制是由硅半导体的物理性质和器件本身的结构所固有的。大型IGBT和MOSFET难以在高频下切换，并且会因其在ON和OFF状态之间的切换过慢而引起开关损耗。理论上，逆变器在更高的频率下效率更加高，但是随着工作频率的增加，设备固有的开关损耗则会超过转换收益。此外，设备的长开关时间也会限制逆变器的工作频率。
这些限制能够最终靠使用替代材料来克服，这些替代材料被称为宽带隙（WBG）半导体，其特性更适合于高功率，高频应用。有几种有前途的宽禁带半导体技术，其中氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）是当今最成熟且商用化的。宽禁带材料在其导带和价带之间具有较大的能量分离。例如，硅的1.1eV带隙值和GaN的3.4eV带隙之间的差异使GaN能够以比硅基器件更高的电压工作。此外，GaN还具有其他一些特性，使其成为逆变器和其他大功率应用的不错选择。
GaN的其他重要特性之一是其高临界电场强度（〜5×10E6 Vcm），这使GaN晶体管比相同尺寸的硅晶体管具有更高的击穿电压。此特性允许使用小得多的晶体管结构来制造给定工作电压范围的GaN半导体器件。较小的结构使系统需要更小的电容以及更高的开关频率。
同样引人注目的是GaN的电子迁移率，是Si的1000倍以上。该特性使GaN器件的等效单位面积硅基MOSFET的单位面积RDS（on）（导通电阻）降低了一半，从而使传导损耗降低了50％。因为GaN功率晶体管产生的废热更少，所以它们需要更小的散热器和更简单的热管理系统，使设计人员能够创建更简单，更紧凑的产品。
GaN和SiC技术在很大程度上是互补的，并且将继续共存。它们目前涵盖不同的电压范围，其中GaN器件最适合在数十至数百伏特的应用范围内使用，而SiC则更适合大约一千伏至几千伏的电源电压。对于中低压应用（低于1200V），GaN的开关损耗至少比650V的SiC低三倍。SiC在650V时具有某些产品可用性，但通常设计用于1200V及更高的电压。
从系统的角度来看，GaN的价值来自尺寸，重量和成本的降低，成本包括BOM成本（其他系统组件的成本，如电容器，散热器和电感器的成本），使用和散热成本。例如，在电源中从Si变为GaN可能会削减诸如变压器之类的磁性组件的尺寸。所有这些都可以在实现更高效率或更高功率密度以及两者同时兼顾。
GaN器件制造商在材料和工艺技术上的飞速发展，导致用于电动汽车（EV，PHEV和轻度混合动力车）的高压大功率应用产品的性能和成本都有了显着改善。
GaN的其他优点包括，其栅极和输出电荷比等效的Si器件低。这使基于GaN的设计能够实现更快的导通时间和压摆率，同时减少损耗。基于GaN的逆变器不仅可以减小传导损耗，而且还可以减小大功率应用中的开关损耗。在电动汽车中，这些增加的效率可直接转化为更长的范围或使用较小的电池的等效范围。
对于电动汽车和许多其他应用，因为高开关频率会产生更高的开关损耗，从而降低逆变器的效率，所以电机通常将牵引逆变器的开关频率限制为10 kHz。
但是，当逆变器的开关频率通常仅为10 kHz时，为什么还要关心开关损耗呢？主要是因为电动汽车在95％的行驶时间内，电动汽车的牵引逆变器在其全部额定负载的30％下运行。在低负载下，逆变器的开关损耗将比传导损耗更为重要。表1列出了牵引逆变器的典型任务曲线典型EV牵引逆变器的任务曲线
让我们更详细地看一个示例，该示例比较典型EV在其各种操作模式下的系统效率。对于此示例，所讨论的车辆具有150 kW三相逆变器（每相50 kW），该逆变器采用脉宽调制（PWM）控制，电池的输出电压为500-800V，电机的额定工作电压为400VAC（相间）。我们的研究将分为三个方向：
30％的额定电流运行，因此第三种情况旨在提高低负载（“最高”速度以外的所有运行模式）下的传动系统效率。
我们知道，由于GaN的FOM低且反向恢复电荷（Qrr）为零，因此开关频率，磁性设计和开关损耗将大大降低。我们还知道，Si MOSFET的典型反向恢复电荷在50至60 ℃的范围内，具体取决于其尺寸和特性。当MOSFET关闭时，体二极管中的Qrr会产生损耗，这些损耗会增加整个系统的开关损耗。这些损耗与开关频率成比例地增加，使得MOSFET在许多应用中不适合用于更高的频率。
与两级，三相逆变器拓扑中的基于Si的MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的操作性能赢得了电动汽车系统开发商的关注。与Si器件相比，SiC器件可以提高开关频率，从而降低了系统冷却和滤波要求。在更高的频率下，我们知道我们可以减小电感器，电容器和变压器等元件的尺寸和重量。不幸的是，SiC MOSFET是相对较新的技术，随着技术的成熟，它仍然经历着不断增长的痛苦。结果，已知高电流SiC MOSFET具有诸如单芯片载流能力低和在较高温度下劣化等问题。此外，SiC MOSFET和IGBT需要特殊的栅极驱动和电路保护，并且往往比其他解决方案贵得多。
这种GaN / IGBT混合解决方案结合了不同功率半导体技术的优势，即IGBT的低成本和低传导损耗以及GaN的良好开关性能（图3）。
此外还更改了运行规则，该规则现在结合了在不同负载条件下的两级和三级控制。在部分负载（峰值80 A）下，逆变器以三电平模式运行，其中IGBT两端的电压仅为400V，仅为母线电压的一半，从而降低了IGBT中的损耗。在满载时，逆变器切换到两级模式，此时中性钳位脚（S2和S3）被禁用，从而使IGBT两端的电压上升到全母线V。
设定了此解决方案的操作规则后，让我们回顾一下逆变器拓扑选择。逆变器拓扑可以根据它们产生的输出交流线路电压电平的数量进行分类（例如，两级，三级）。在两级电平逆变器中，利用具有两个电压电平的PWM可以产生输出电压波形。这会导致逆变器的输出电压和电流波形失真，从而产生高水平的总谐波失真（THD）。标准的两级，三相逆变器架构通常用于永磁（PM）牵引电机应用，它还需要庞大的DC链路电容器来吸收PWM开关频率产生的大纹波电流。
使用常规的两级相脚拓扑，所有开关转换都在较高的VBUS电平下发生，并且Si器件的反向恢复损耗很高。根据经验，可以说开关频率越快，反向消耗的功率比例就越大；在大功率电路中，这成为限制因素。
三电平T型逆变器在光伏逆变器和工业电机驱动器等应用中广为人知。区别在于在中性钳位上采用GaN器件。这种中性点钳位（NPC）拓扑已在大功率应用中流行，因为它可以实现比传统的两电平电压源逆变器更好的谐波降低，并且可以采用相关的控制策略来最小化半导体损耗。通过在三相中实现T型，THD的输出电压降低，从而提高了系统的整体效率。
得益于混合逆变器的GaN HEMT的归零恢复以及IGBT两端的电压应力减半，其导通损耗降低了92％，关断损耗降低了83％（与传统的2级配置相比）。
图4：比较Eon（左）和Eoff（右）的开关能量。资料来源：GaN System
现在，对于上述三种情况，我们都可以对150 kW，800V牵引逆变器进行系统加权平均效率分析。对于情况3，GaN 3L（三电平有源中性点钳位架构），该逆变器在大部分工作范围内有效运行（负载小于30％），并使用2L IGBT来满足逆变器的要求。峰值条件（表2）。与IGBT相比，该逆变器的背对背GaN开关贡献的传导负载更小，从而减少了电池消耗。
表2整个任务概要周期中每个解决方案的能耗（功率损耗）的加权平均值 来源：GaN Systems
混合解决方案的加权平均效率显示出与SiC解决方案相似，并且与IGBT解决方案相比提高了近80％。而且由于采用了额定功率为逆变器最大电流输出的30％的GaN HEMT，因此BOM成本明显低于SiC解决方案，后者需要100％额定电流的SiC MOSFET和100％额定电流的SiC反并联二极管。 SiC为该应用提供了其他好处，包括减小了系统体积，减轻了重量并减少了材料使用量（由于使用了较小的电感器，变压器，电容器和散热器）。
电动汽车推进系统要紧凑，高效且经济高效的牵引逆变器。在比较用于牵引逆变器的半导体解决方案时，使用最先进的硅IGBT的标准解决方案可能会导致低成本的牵引逆变器，但在电池/范围成本达到一定水平时并不一定达到车辆所需的尺寸，重量和效率包括在内。基于SiC的设计虽然显示出比硅解决方案更高的效率，但成本却很高。
GaN / IGBT混合T型配置可提高轻负载效率。由于GaN HEMT的零反向恢复和器件两端的电压应力减半，因此IGBT的开关能量大幅度的降低。
作为工作规则的一部分，GaN中性钳位脚在满载时被禁用，以避免采用全额定电流的GaN HEMT来降低BOM成本。
根据实验室测试，与传统解决方案相比，在混合T型配置中IGBT的导通损耗降低了92％，在整个工作范围内，截止损耗均降低了83％。
总而言之，GaN / IGBT混合T型配置结合了不一样的功率半导体技术的优势（IGBT的低成本和低传导损耗以及GaN的低损耗开关性能），证明了在现有拓扑结构中，它提供了优化的结构。 EV逆变器的价格，性能和范围解决方案。
关键字：编辑：冀凯 引用地址：除了SiC，GaN也可实现高效、经济的800V EV牵引逆变器上一篇：动力电池市场：三元锂一骑绝尘，石墨烯还有盼头吗
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